山下 正廣 (やました まさひろ)





ー経歴ー

1954912日生まれ

1977 九州大学理学部化学科卒業
1982 九州大学大学院理学研究科化学専攻博士課程修了 
1982 日本学術振興会奨励研究員(分子科学研究所)
1985 九州大学教養部助手
1989 名古屋大学教養部助教授
1989 ロンドン大学化学教室客員研究員(1年間)
1998 名古屋大学大学院人間情報学研究科教授
1999 東京都立大学大学院理学研究科教授
2002 岡崎国立共同研究機構分子科学研究所客員教授
2004 東北大学大学院理学研究科化学専攻教授
2007 東北大学国際高等融合領域研究所教授兼任
2007 カグリアリ大学(イタリア)、南京大学、江蘇大学(中国)併任教授
2007 理化学研究所 客員主管研究員
2008 学術会議連携会員


Awards

1986 日本化学会若手講演特別賞受賞
2002 井上学術賞受賞
2005 日本化学会学術賞受賞


ー主な研究テーマー

・ 次世代型高次機能性ナノ金属錯体の化学

・ 擬一次元白金系混合原子価錯体の合成と機能化

・ 磁性と伝導が相互作用するハイブリッド型金属錯体の構築

・ 高次機能性単分子磁石および単一次元鎖磁石の合成と物性

・ 有機・無機ハイブリッド超伝導体の合成と物性


ー外部資金ー

科学技術振興財団「さきがけ研究21(PRESTO)」兼任 ('97 - '01)

科学技術振興機構戦略的研究(CREST)兼任 ('02 - '08)

科研費「学術創成研究」プロジェクトリーダー ('02 - '08)

科研費「基盤(S)」 ('08 - '12)


ー著書ー

・ハウス無機化学(下)

山下正廣、塩谷光彦、石川直人

東京化学出版 (2012)


・ハウス無機化学(上)

山下正廣、塩谷光彦、石川直人

東京化学出版 (2012)


・金属錯体の現代物性化学

山下正廣、小島憲道

三共出版 (2008)


・チャンピオンレコードをもつ金属錯体最前線

〜新しい機能性錯体の構築に向けて〜

山下正廣、北川進 [編]

化学同人 (2006)


・伝導性金属錯体の化学

山下正廣、榎敏明

朝倉書店 (2005)


実験化学講座

山下正廣、岩堀史靖(分担執筆)

丸善 (2005)


・一次元電子系化合物

高石慎也、山下正廣

ナノマテリアルハンドブック (2005)


・標準化学用語辞典

山下正廣、岩堀史靖 (2005)


・金属錯体が拓く21世紀の新しい化学の世界

「光を加工するー非線形光学素子の開発に向けて」

山下正廣

クバプロ (2004)


・集積型金属錯体の科学

「ナノワイヤー分子磁石」

宮坂等、山下正廣

化学同人 (2003)


ー新聞記事ー

2004618日付 日刊工業新聞

「ソリトンを直接観測」


2004618日付 日刊工業新聞

「ソリトンを直接観測」


200611日 科学新聞

「強相関電子系ナノワイヤー・自然界の乱れを直接観測」


2008118日 科学新聞

科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業CREST研究成果から

『量子スピン系ナノ分子磁石の創製』


2008418日 科学新聞

東北大・山下教授らの論文 昨年第4期「最多アクセス」


200895日 科学新聞

一次元鎖モット絶縁体Pd(III)錯体の合成成功


20101224日 Central Chronicle

'Nanoparticles briidge between atomic structures'


2011 科学新聞

単分子量子磁石の「近藤ピーク」 オン・オフ制御にに成功


                

2011 鉄鋼新聞

「単分子磁石」の磁性制御 高密度メモリーに応用


201259日 河北新報

分子性量子磁石 最新研究を発表 仙台でセミナー


2012622日付 科学新聞

―東北大の研究グループ―
近藤ピークを用いた単分子メモリ動作実現


                

2012726日付 河北新報

単分子表面 原子で文字


                

ー特許ー

出願番号:特願 2004-50964

発明者:山下正廣、杉浦健一、高石慎也

発明の名称:擬一次元ハロゲン架橋金属錯体結晶を用いた分子固定基板

出願人:ヴィジョンアーツ株式会社・(独)科学技術振興機構・(学)東京都立大学

出願日:平成16226


出願番号:特願 2004-265394

発明者:山下正廣、岡本博、高石慎也、岸田英夫、松崎弘幸

発明の名称:マルチセンサー

出願人:(独)科学技術振興機構

出願日:平成16913


出願番号:特願2006-082966

発明者:山下正廣、大津英揮、高石慎也、松崎弘幸、田尾祥一、宮越達三

発明の名称:巨大三次非線形光学効果をもつ強相関電子系 Ni(III) 錯体の薄膜作成

出願人:(独)科学技術振興機構

出願日:平成18324


出願番号:特願 2009-34662

発明者:岡本博、松崎弘幸、山下正廣、高石慎也、太田康公

発明の名称:光スイッチ用素子材料及びそれを有する光スイッチ装置並びに光スイッチング方法

出願人:(独)科学技術振興機構

出願日:平成21217


ー趣味ー

飲むこと

麻雀